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SiC MOSFET 體二極管特性及死區(qū)時間選擇
- 01、SiC MOSFET的體二極管及其關鍵特性無論是平面柵還是溝槽柵，SiC MOSFET都采用垂直導電結構，其縱向（從漏極到源極）的層狀結構是通用的，如下圖所示：圖1. 溝槽型--英飛凌非對稱溝柵CoolSiC? MOSFET圖2. 平面柵型MOSFETN+襯底(Substrate)：高摻雜，作為漏極。N-外延層(Drift Layer)：低摻雜，用于承受高阻斷電壓。P-body區(qū)：P型阱區(qū)，通過離子注入形成。其上方是源極的N+區(qū)。柵極(Gate)：在SiO2絕緣層（柵氧）之上，用于控制溝道導通。源極
- 關鍵字： 英飛凌 SiC MOSFET 二極管
600V 超結 MOSFET 面向電動汽車、開關電源及光伏逆變器應用
- 來源：萬高半導體（Alpha & Omega Semiconductor，AOS）萬高半導體（AOS）推出的 AOTL037V60DE2 型 600V MOSFET，是該公司基于 MOS E2 平臺實現量產的首款器件。該平臺及其衍生產品旨在滿足大功率開關電源（SMPS）與逆變系統(tǒng)的應用需求，可為服務器、工作站、通信整流器、光伏逆變器、電機驅動及工業(yè)電源系統(tǒng)等廣泛場景帶來更高效率、更高功率密度、更低整體系統(tǒng)成本與更強的可靠性。該器件適用于圖騰柱功率因數校正（PFC）、LLC 諧振變換器、相移全橋（P
- 關鍵字： MOSFET 太陽能逆變器 電動車 單頻電源
SiC MOSFET的并聯設計要點
- SiC MOSFET 的單管額定電流受芯片面積、封裝散熱、導通電阻等因素限制,常見的單管額定電流多在幾十到兩百安培,而軌道交通、新能源并網、高壓逆變器等場景,往往需要千安級的電流輸出,單管無法滿足。因此,SiC MOSFET的并聯應用的場景越來越普遍。不管是SiC MOSFET還是IGBT,并聯的目標都是實現電流的均勻分布,且消除芯片間的振蕩。為了達到這一目標,我們需要做到三點:1.并聯芯片參數盡可能一致2.功率回路、驅動回路與散熱結構布局一致3.門極驅動電路的優(yōu)化設計作為高速開關器件,SiC MOSFE
- 關鍵字： 英飛凌 SiC MOSFET 并聯設計
溝槽柵SiC MOSFET如何成為SST高頻高壓下的最優(yōu)解
- 對于我國的電力電子界來說,固態(tài)變壓器(SST)并非是一個全新的話題,在軌道交通、電網合環(huán)運行、大型超充站項目里都有過試點實踐。受限于高成本、功率器件參數選擇少、高頻變壓器散熱瓶頸,SST曾經的商業(yè)化之路面對的挑戰(zhàn)大于機遇。智算中心800V高壓直流供電系統(tǒng)概念的普及,和未來智能電網的電力潮流雙向流動,讓SST的商業(yè)價值獲得了前所未有的想象力。隨著AI算力向MW級機架演進,傳統(tǒng)數據中心供電架構已經不堪重負,難以承載極端功率密度與能效要求。智算中心正從“算力堆砌”邁入“算電協同”的關鍵階段。在這一背景下,SST
- 關鍵字： 英飛凌 溝槽柵 SiC MOSFET SST高頻高壓
碳化硅賦能浪潮教程：利用 SiC CJFET替代超結 MOSFET
- 碳化硅(SiC)憑借其優(yōu)異的材料特性,在服務器、工業(yè)電源等關鍵領域掀起技術變革浪潮。本教程聚焦 SiC 尤其是 SiC JFET 系列器件,從碳化硅如何重構電源設計邏輯出發(fā),剖析其在工業(yè)與服務器電源場景的應用價值。我們已經介紹了碳化硅如何革新電源設計、工業(yè)與服務器電源。三種替代 Si 和 SiC MOSFET的方案。SiC Cascode JFET的動態(tài)特性、SiC Combo JFET的應用靈活性。本文將介紹利用 SiC CJFET替代超結 MOSFET以及開關電源應用。1、利用 SiC CJFET替代
- 關鍵字： 安森美 碳化硅 SiC CJFET，MOSFET
電力電子的未來：2026 MOSFET晶體管趨勢與技術創(chuàng)新
- 引言電力電子領域正在飛速發(fā)展，MOSFET 晶體管始終處于創(chuàng)新前沿。隨著 2026 年臨近，這類器件在消費電子、工業(yè)系統(tǒng)等眾多應用中變得愈發(fā)不可或缺。2026 年全球半導體產業(yè)規(guī)模預計達到 5952 億美元，正反映出這一增長趨勢。在高效電源轉換與管理方案需求持續(xù)攀升的背景下，掌握 MOSFET 技術的最新趨勢與參數規(guī)格，對工程師和設計人員至關重要。本文深入解析 MOSFET 晶體管的關鍵參數、設計要點與應用場景，展望其在未來電力電子領域的核心作用。技術概述MOSFET（金屬?氧化物?半導體場效應晶體管）是
- 關鍵字： 電力電子 MOSFET 晶體管
IGBT與MOSFET：數據對比選型以助力優(yōu)化電子設計
- 引言在飛速發(fā)展的電子設計領域，選用合適的元器件對優(yōu)化性能、效率與可靠性至關重要。** 絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）與金屬 - 氧化物 - 半導體場效應晶體管（MOSFET）** 是工程師在電力電子應用中經常選用的兩類核心器件。深入理解二者的差異、參數特性與適用場景，將顯著提升設計方案的整體效率。隨著全球半導體市場持續(xù)增長，預計到 2026 年市場規(guī)模將達到 5952 億美元，對優(yōu)化電子設計的需求也變得前所未有的迫切。本文將基于數據對 IGBT 與 MOSFET 展開對比，為你的電子項目決
- 關鍵字： IGBT MOSFET 優(yōu)化電子設計
SiC MOSFET 短路行為解析與英飛凌保護方案探討
- 在設計常見的DCDC或DCAC等電路時，我們經常遇到需要橋臂直通保護的要求。IGBT通常具有5~10us的短路耐受時間，足以應付大部分短路工況。然而，對于SiC MOSFET器件來說，問題變得復雜了。因為在相同的電流等級下，SiC MOSFET的短路耐受時間通常比IGBT小很多。這主要是因為SiC MOSFET的芯片尺寸比傳統(tǒng)的硅基器件小很多，同時非常薄的外延層使得發(fā)熱位置更加集中（詳細原因闡述見談談SiC MOSFET的短路能力）。這給短路保護設計帶來了巨大的挑戰(zhàn)，即使是微小的系統(tǒng)設計差異也會顯著影響S
- 關鍵字： 英飛凌 SiC MOSFET 短路行為
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